NTLJS4D7N03HTAG规格参数_ntljs4d7n03htag现货热销【斯普仑】

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NTLJS4D7N03HTAG

制造商：onsemi

封装外壳：6-PowerWDFN

描述：MOSFET N-CH 25V 11.6A 6PQFN

8778 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTLJS4D7N03HTAG，现有足量库存。NTLJS4D7N03HTAG的封装/规格参数为:6-PowerWDFN；同时斯普仑现货为您提供NTLJS4D7N03HTAG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTLJS4D7N03HTAG的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

NTLJS4D7N03HTAG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NTLJS4D7N03HTAG
描述	MOSFET N-CH 25V 11.6A 6PQFN
制造商	onsemi
库存	8778
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	11.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	4.1 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	14 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	851 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	860mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	6-PQFN（2x2）
封装/外壳	6-PowerWDFN