SVD5806NT4G规格参数_svd5806nt4g现货热销【斯普仑】

400-900-8690

SVD5806NT4G

制造商：onsemi

封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

描述：MOSFET N-CH 40V 33A DPAK

3148 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的SVD5806NT4G，现有足量库存。SVD5806NT4G的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供SVD5806NT4G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SVD5806NT4G的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

SVD5806NT4G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SVD5806NT4G
描述	MOSFET N-CH 40V 33A DPAK
制造商	onsemi
库存	3148
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	19 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	38 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	860 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	40W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	DPAK
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63