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STL26N30M8

制造商:STMicroelectronics

封装外壳:8-PowerVDFN

描述:MOSFET N-CH 300V 23A POWERFLAT

7441 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STL26N30M8,现有足量库存。STL26N30M8的封装/规格参数为:8-PowerVDFN;同时斯普仑现货为您提供STL26N30M8数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有STL26N30M8的详细使用方法及教程。

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STL26N30M8产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 STL26N30M8
描述 MOSFET N-CH 300V 23A POWERFLAT
制造商 STMicroelectronics
库存 7441
系列 MDmesh™ M8
包装 卷带(TR)
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 23A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 89 毫欧 @ 11.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 30.8 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1430 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 114W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerFlat™(5x6)
封装/外壳 8-PowerVDFN

为智能时代加速到来而付出“真芯”