SCTWA35N65G2VAG规格参数_sctwa35n65g2vag现货热销【斯普仑】

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SCTWA35N65G2VAG

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：TO-247-3

描述：SICFET N-CH 650V 45A TO247

5133 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的SCTWA35N65G2VAG，现有足量库存。SCTWA35N65G2VAG的封装/规格参数为:TO-247-3；同时斯普仑现货为您提供SCTWA35N65G2VAG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SCTWA35N65G2VAG的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

SCTWA35N65G2VAG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SCTWA35N65G2VAG
描述	SICFET N-CH 650V 45A TO247
制造商	STMicroelectronics
库存	5133
系列	-
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	18V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	72毫欧 @ 20A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	73 nC @ 20 V
Vgs（最大值）	+20V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1370 pF @ 400 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	208W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-247 长引线
封装/外壳	TO-247-3