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SCT10N120H

制造商:STMicroelectronics

封装外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

描述:SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2

8910 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的SCT10N120H,现有足量库存。SCT10N120H的封装/规格参数为:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;同时斯普仑现货为您提供SCT10N120H数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有SCT10N120H的详细使用方法及教程。

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SCT10N120H产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 SCT10N120H
描述 SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
制造商 STMicroelectronics
库存 8910
系列 -
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss) 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 690 毫欧 @ 6A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 22 nC @ 20 V
Vgs(最大值) +25V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 290 pF @ 400 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 150W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 200°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 H2Pak-2
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

为智能时代加速到来而付出“真芯”