RE1C002ZPMGTL规格参数_re1c002zpmgtl现货热销【斯普仑】

400-900-8690

RE1C002ZPMGTL

制造商：Rohm Semiconductor

封装外壳：SC-89，SOT-490

描述：MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F

8919 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的RE1C002ZPMGTL，现有足量库存。RE1C002ZPMGTL的封装/规格参数为:SC-89，SOT-490；同时斯普仑现货为您提供RE1C002ZPMGTL数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RE1C002ZPMGTL的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

RE1C002ZPMGTL产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	RE1C002ZPMGTL
描述	MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F
制造商	Rohm Semiconductor
库存	8919
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.2V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	1.4 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	115 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	150W（Ta）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	EMT3F（SOT-416FL）
封装/外壳	SC-89，SOT-490