UF3SC065030D8S规格参数_uf3sc065030d8s现货热销【斯普仑】

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UF3SC065030D8S

制造商：UnitedSiC

封装外壳：4-PowerTSFN

描述：SICFET N-CH 650V 18A 4DFN

1943 现货

斯普仑电子元件现货为您提供UnitedSiC设计生产的UF3SC065030D8S，现有足量库存。UF3SC065030D8S的封装/规格参数为:4-PowerTSFN；同时斯普仑现货为您提供UF3SC065030D8S数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有UF3SC065030D8S的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

UF3SC065030D8S产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	UF3SC065030D8S
描述	SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
制造商	UnitedSiC
库存	1943
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	42毫欧 @ 20A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	43 nC @ 12 V
Vgs（最大值）	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1500 pF @ 100 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	179W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	4-DFN（8x8）
封装/外壳	4-PowerTSFN