RSS090P03FU6TB1规格参数_rss090p03fu6tb1现货热销【斯普仑】

400-900-8690

RSS090P03FU6TB1

制造商：Rohm Semiconductor

封装外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

描述：MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP

8192 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的RSS090P03FU6TB1，现有足量库存。RSS090P03FU6TB1的封装/规格参数为:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供RSS090P03FU6TB1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RSS090P03FU6TB1的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

RSS090P03FU6TB1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	RSS090P03FU6TB1
描述	MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
制造商	Rohm Semiconductor
库存	8192
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	14 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	39 nC @ 5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	4000 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2W（Ta）
工作温度	150°C
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-SOP
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）