TP65H150G4LSG规格参数_tp65h150g4lsg现货热销【斯普仑】

400-900-8690

TP65H150G4LSG

制造商：Transphorm

封装外壳：2-PowerTSFN

描述：GAN FET N-CH 650V PQFN

3943 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Transphorm设计生产的TP65H150G4LSG，现有足量库存。TP65H150G4LSG的封装/规格参数为:2-PowerTSFN；同时斯普仑现货为您提供TP65H150G4LSG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TP65H150G4LSG的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

TP65H150G4LSG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	TP65H150G4LSG
描述	GAN FET N-CH 650V PQFN
制造商	Transphorm
库存	3943
系列	-
包装	托盘
FET 类型	N 通道
技术	GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	180 毫欧 @ 8.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.8V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	598 pF @ 400 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	52W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	2-PQFN（8x8）
封装/外壳	2-PowerTSFN