STWA58N65DM2AG规格参数_stwa58n65dm2ag现货热销【斯普仑】

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STWA58N65DM2AG

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：TO-247-3

描述：MOSFET N-CH 650V 48A TO247

6040 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STWA58N65DM2AG，现有足量库存。STWA58N65DM2AG的封装/规格参数为:TO-247-3；同时斯普仑现货为您提供STWA58N65DM2AG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STWA58N65DM2AG的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

STWA58N65DM2AG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	STWA58N65DM2AG
描述	MOSFET N-CH 650V 48A TO247
制造商	STMicroelectronics
库存	6040
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	48A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	-
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	-
工作温度	-
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-247 长引线
封装/外壳	TO-247-3