R6020ENZM12C8规格参数_r6020enzm12c8现货热销【斯普仑】

400-900-8690

R6020ENZM12C8

制造商：Rohm Semiconductor

封装外壳：TO-3P-3 整包

描述：MOSFET N-CH 600V 20A TO3

3144 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的R6020ENZM12C8，现有足量库存。R6020ENZM12C8的封装/规格参数为:TO-3P-3 整包；同时斯普仑现货为您提供R6020ENZM12C8数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有R6020ENZM12C8的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

R6020ENZM12C8产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	R6020ENZM12C8
描述	MOSFET N-CH 600V 20A TO3
制造商	Rohm Semiconductor
库存	3144
系列	-
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	196 毫欧 @ 9.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	60 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1400 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	120W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-3PF
封装/外壳	TO-3P-3 整包