AONT21313C规格参数_aont21313c现货热销【斯普仑】

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AONT21313C

制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc.

封装外壳：6-UDFN 裸露焊盘

描述：MOSFET P-CH 30V 8A 6DFN

7556 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Alpha & Omega Semiconductor Inc.设计生产的AONT21313C，现有足量库存。AONT21313C的封装/规格参数为:6-UDFN 裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供AONT21313C数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有AONT21313C的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

AONT21313C产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	AONT21313C
描述	MOSFET P-CH 30V 8A 6DFN
制造商	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存	7556
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	32 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	14.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	530 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.8W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	6-DFN（2x2）
封装/外壳	6-UDFN 裸露焊盘