IGT40R070D1E8220ATMA1规格参数_igt40r070d1e8220atma1现货热销【斯普仑】

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IGT40R070D1E8220ATMA1

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：8-PowerSFN

描述：MOSFET N-CH 400V 31A HSOF-8-3

7365 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IGT40R070D1E8220ATMA1，现有足量库存。IGT40R070D1E8220ATMA1的封装/规格参数为:8-PowerSFN；同时斯普仑现货为您提供IGT40R070D1E8220ATMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IGT40R070D1E8220ATMA1的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

IGT40R070D1E8220ATMA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IGT40R070D1E8220ATMA1
描述	MOSFET N-CH 400V 31A HSOF-8-3
制造商	Infineon Technologies
库存	7365
系列	CoolGaN™
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	31A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1，6V @ 2，6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	382 pF @ 320 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	125W（Tc）
工作温度	0°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-HSOF-8-3
封装/外壳	8-PowerSFN