IRFH5302DTRPBF规格参数_irfh5302dtrpbf现货热销【斯普仑】

400-900-8690

IRFH5302DTRPBF

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET N-CH 30V 29A/100A PQFN

4390 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRFH5302DTRPBF，现有足量库存。IRFH5302DTRPBF的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供IRFH5302DTRPBF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRFH5302DTRPBF的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

IRFH5302DTRPBF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRFH5302DTRPBF
描述	MOSFET N-CH 30V 29A/100A PQFN
制造商	Infineon Technologies
库存	4390
系列	HEXFET®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	29A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.5 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.35V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3635 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.6W（Ta），104W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PQFN（5x6）单芯片焊盘
封装/外壳	8-PowerVDFN