IXTA1N200P3HV-TRL规格参数_ixta1n200p3hv-trl现货热销【斯普仑】

IXTA1N200P3HV-TRL

制造商：IXYS

封装外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

描述：MOSFET N-CH 2000V 1A TO263HV

1032 现货

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS设计生产的IXTA1N200P3HV-TRL，现有足量库存。IXTA1N200P3HV-TRL的封装/规格参数为:TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；同时斯普仑现货为您提供IXTA1N200P3HV-TRL数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IXTA1N200P3HV-TRL的详细使用方法及教程。

IXTA1N200P3HV-TRL产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IXTA1N200P3HV-TRL
描述	MOSFET N-CH 2000V 1A TO263HV
制造商	IXYS
库存	1032
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	2000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	40 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	23.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	646 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	125W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-263HV
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

IXTA1N200P3HV-TRL

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