NVMD3P03R2G规格参数_nvmd3p03r2g现货热销【斯普仑】

400-900-8690

NVMD3P03R2G

制造商：onsemi

封装外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

描述：MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC

8375 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NVMD3P03R2G，现有足量库存。NVMD3P03R2G的封装/规格参数为:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供NVMD3P03R2G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NVMD3P03R2G的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

NVMD3P03R2G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NVMD3P03R2G
描述	MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
制造商	onsemi
库存	8375
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	卷带（TR）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	2.34A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	85 毫欧 @ 3.05A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	25 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	750 pF @ 24 V
FET 功能	标准
功率耗散（最大值）	730mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-SOIC
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）