RS1E300GNTB规格参数_rs1e300gntb现货热销【斯普仑】

400-900-8690

RS1E300GNTB

制造商：Rohm Semiconductor

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

4774 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的RS1E300GNTB，现有足量库存。RS1E300GNTB的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供RS1E300GNTB数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RS1E300GNTB的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

RS1E300GNTB产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	RS1E300GNTB
描述	MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP
制造商	Rohm Semiconductor
库存	4774
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	30A（Ta），80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.2 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	39.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2500 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3W（Ta），33W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-HSOP
封装/外壳	8-PowerTDFN