FDD4141-F085P规格参数_fdd4141-f085p现货热销【斯普仑】

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FDD4141-F085P

制造商：onsemi

封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

描述：MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A TO252

7029 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDD4141-F085P，现有足量库存。FDD4141-F085P的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供FDD4141-F085P数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDD4141-F085P的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

FDD4141-F085P产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	FDD4141-F085P
描述	MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A TO252
制造商	onsemi
库存	7029
系列	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
包装	卷带（TR）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	10.8A（Ta），50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	12.3 毫欧 @ 12.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	50 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2775 pF @ 20 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.4W（Ta），69W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-252AA
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63