NVMFS5833NLT1G规格参数_nvmfs5833nlt1g现货热销【斯普仑】

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NVMFS5833NLT1G

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerTDFN，5 引线

描述：MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN

6517 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NVMFS5833NLT1G，现有足量库存。NVMFS5833NLT1G的封装/规格参数为:8-PowerTDFN，5 引线；同时斯普仑现货为您提供NVMFS5833NLT1G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NVMFS5833NLT1G的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

NVMFS5833NLT1G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NVMFS5833NLT1G
描述	MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN
制造商	onsemi
库存	6517
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	16A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	7.5 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	32.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1714 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.7W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳	8-PowerTDFN，5 引线