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NVD4856NT4G-VF01

制造商：onsemi

封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

描述：MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A DPAK

2750 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NVD4856NT4G-VF01，现有足量库存。NVD4856NT4G-VF01的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供NVD4856NT4G-VF01数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NVD4856NT4G-VF01的详细使用方法及教程。

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NVD4856NT4G-VF01产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 NVD4856NT4G-VF01
描述 MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A DPAK
制造商 onsemi
库存 2750
系列 Automotive, AEC-Q101
包装 卷带（TR）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 13.3A（Ta），89A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4.7 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 38 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2241 pF @ 12 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.33W（Ta），60W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 DPAK-3
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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