FDU3N50NZTU规格参数_fdu3n50nztu现货热销【斯普仑】

400-900-8690

FDU3N50NZTU

制造商：onsemi

封装外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

描述：MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK3

5586 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDU3N50NZTU，现有足量库存。FDU3N50NZTU的封装/规格参数为:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；同时斯普仑现货为您提供FDU3N50NZTU数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDU3N50NZTU的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

FDU3N50NZTU产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	FDU3N50NZTU
描述	MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK3
制造商	onsemi
库存	5586
系列	-
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	2.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.5 欧姆 @ 1.25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	280 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	40W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	DPAK3（IPAK）
封装/外壳	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA