DMP3165SVT-13规格参数_dmp3165svt-13现货热销【斯普仑】

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DMP3165SVT-13

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

描述：MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26

9792 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMP3165SVT-13，现有足量库存。DMP3165SVT-13的封装/规格参数为:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6；同时斯普仑现货为您提供DMP3165SVT-13数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMP3165SVT-13的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

DMP3165SVT-13产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	DMP3165SVT-13
描述	MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26
制造商	Diodes Incorporated
库存	9792
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	2.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	3.3V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	95mOhm @ 2.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	6.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	287 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	800mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TSOT-26
封装/外壳	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6