IRF3717TRPBF-1规格参数_irf3717trpbf-1现货热销【斯普仑】

400-900-8690

IRF3717TRPBF-1

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

描述：MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC

2768 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRF3717TRPBF-1，现有足量库存。IRF3717TRPBF-1的封装/规格参数为:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供IRF3717TRPBF-1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRF3717TRPBF-1的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

IRF3717TRPBF-1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRF3717TRPBF-1
描述	MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
制造商	Infineon Technologies
库存	2768
系列	HEXFET®
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	20A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	4.4 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.45V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	33 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2890 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.5W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-SOIC
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）