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TP65H070LSG

制造商：Transphorm

封装外壳：3-PowerDFN

描述：GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN

2119 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Transphorm设计生产的TP65H070LSG，现有足量库存。TP65H070LSG的封装/规格参数为:3-PowerDFN；同时斯普仑现货为您提供TP65H070LSG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TP65H070LSG的详细使用方法及教程。

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TP65H070LSG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 TP65H070LSG
描述 GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
制造商 Transphorm
库存 2119
系列 TP65H070L
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
漏源电压（Vdss） 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 85 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.8V @ 700µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 9.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 600 pF @ 400 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 96W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 3-PQFN（8x8）
封装/外壳 3-PowerDFN

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