TSM10N60CI C0规格参数_tsm10n60ci c0现货热销【斯普仑】

TSM10N60CI C0

制造商：Taiwan Semiconductor Corporation

封装外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片

描述：MOSFET N-CH 600V 10A ITO220

2778 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Taiwan Semiconductor Corporation设计生产的TSM10N60CI C0，现有足量库存。TSM10N60CI C0的封装/规格参数为:TO-220-3 全封装，隔离接片；同时斯普仑现货为您提供TSM10N60CI C0数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TSM10N60CI C0的详细使用方法及教程。

TSM10N60CI C0产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	TSM10N60CI C0
描述	MOSFET N-CH 600V 10A ITO220
制造商	Taiwan Semiconductor Corporation
库存	2778
系列	-
包装	散装
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	750 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	45.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1738 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	50W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	ITO-220
封装/外壳	TO-220-3 全封装，隔离接片

TSM10N60CI C0

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