NVD5117PLT4G规格参数_nvd5117plt4g现货热销【斯普仑】

400-900-8690

NVD5117PLT4G

制造商：onsemi

封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

描述：MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK

7603 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NVD5117PLT4G，现有足量库存。NVD5117PLT4G的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供NVD5117PLT4G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NVD5117PLT4G的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

NVD5117PLT4G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NVD5117PLT4G
描述	MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
制造商	onsemi
库存	7603
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	11A（Ta），61A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	16 毫欧 @ 29A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	85 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	4800 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	4.1W（Ta），118W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	DPAK
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63