NDS356AP-NB8L005A规格参数_nds356ap-nb8l005a现货热销【斯普仑】

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NDS356AP-NB8L005A

制造商：onsemi

封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述：MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3

7194 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NDS356AP-NB8L005A，现有足量库存。NDS356AP-NB8L005A的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供NDS356AP-NB8L005A数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NDS356AP-NB8L005A的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

NDS356AP-NB8L005A产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NDS356AP-NB8L005A
描述	MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
制造商	onsemi
库存	7194
系列	-
包装	托盘
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	1.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	200 毫欧 @ 1.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	4.4 nC @ 5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	280 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	500mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SOT-23-3
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3