FDN360P-NBGT003B规格参数_fdn360p-nbgt003b现货热销【斯普仑】

400-900-8690

FDN360P-NBGT003B

制造商：onsemi

封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述：MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3

5846 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDN360P-NBGT003B，现有足量库存。FDN360P-NBGT003B的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供FDN360P-NBGT003B数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDN360P-NBGT003B的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

FDN360P-NBGT003B产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	FDN360P-NBGT003B
描述	MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
制造商	onsemi
库存	5846
系列	PowerTrench®
包装	卷带（TR）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	80 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	298 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	500mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SOT-23-3
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3