IPP90R1K0C3XK规格参数_ipp90r1k0c3xk现货热销【斯普仑】

400-900-8690

IPP90R1K0C3XK

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：TO-220-3

描述：MOSFET N-CH 900V 5.7A TO220-3

1257 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IPP90R1K0C3XK，现有足量库存。IPP90R1K0C3XK的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供IPP90R1K0C3XK数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IPP90R1K0C3XK的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

IPP90R1K0C3XK产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IPP90R1K0C3XK
描述	MOSFET N-CH 900V 5.7A TO220-3
制造商	Infineon Technologies
库存	1257
系列	CoolMOS™
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	5.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1 欧姆 @ 3.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.5V @ 370µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	850 pF @ 100 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	89W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	PG-TO220-3-1
封装/外壳	TO-220-3