RQA0002DNSTB-E规格参数_rqa0002dnstb-e现货热销【斯普仑】

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RQA0002DNSTB-E

制造商：Renesas Electronics America Inc

封装外壳：3-DFN 裸露焊盘

描述：MOSFET N-CH 16V 3.8A 2HWSON

2850 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Renesas Electronics America Inc设计生产的RQA0002DNSTB-E，现有足量库存。RQA0002DNSTB-E的封装/规格参数为:3-DFN 裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供RQA0002DNSTB-E数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RQA0002DNSTB-E的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

RQA0002DNSTB-E产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	RQA0002DNSTB-E
描述	MOSFET N-CH 16V 3.8A 2HWSON
制造商	Renesas Electronics America Inc
库存	2850
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	16 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	3.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	750mV @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	±5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	102 pF @ 0 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	15W（Tc）
工作温度	150°C
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	2-HWSON（5x4）
封装/外壳	3-DFN 裸露焊盘