RJK6013DPE-WS#J3规格参数_rjk6013dpe-ws#j3现货热销【斯普仑】

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RJK6013DPE-WS#J3

制造商：Renesas Electronics America Inc

封装外壳：SC-83

描述：MOSFET N-CH 600V 11A 4LDPAK

3045 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Renesas Electronics America Inc设计生产的RJK6013DPE-WS#J3，现有足量库存。RJK6013DPE-WS#J3的封装/规格参数为:SC-83；同时斯普仑现货为您提供RJK6013DPE-WS#J3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RJK6013DPE-WS#J3的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

RJK6013DPE-WS#J3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	RJK6013DPE-WS#J3
描述	MOSFET N-CH 600V 11A 4LDPAK
制造商	Renesas Electronics America Inc
库存	3045
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	11A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	700 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	37.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1450 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	100W（Tc）
工作温度	150°C
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	LDPAK
封装/外壳	SC-83