HAT2185WPWS-E规格参数_hat2185wpws-e现货热销【斯普仑】

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HAT2185WPWS-E

制造商：Renesas Electronics America Inc

封装外壳：8-PowerWDFN

描述：MOSFET N-CH 150V 10A 8WPAK

5222 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Renesas Electronics America Inc设计生产的HAT2185WPWS-E，现有足量库存。HAT2185WPWS-E的封装/规格参数为:8-PowerWDFN；同时斯普仑现货为您提供HAT2185WPWS-E数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有HAT2185WPWS-E的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

HAT2185WPWS-E产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	HAT2185WPWS-E
描述	MOSFET N-CH 150V 10A 8WPAK
制造商	Renesas Electronics America Inc
库存	5222
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	190 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	9.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	430 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	20W（Tc）
工作温度	150°C
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-WPAK（3）
封装/外壳	8-PowerWDFN