HAT1127HWS-E规格参数_hat1127hws-e现货热销【斯普仑】

400-900-8690

HAT1127HWS-E

制造商：Renesas Electronics America Inc

封装外壳：SC-100，SOT-669

描述：MOSFET P-CH 30V 40A 5LFPAK

9814 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Renesas Electronics America Inc设计生产的HAT1127HWS-E，现有足量库存。HAT1127HWS-E的封装/规格参数为:SC-100，SOT-669；同时斯普仑现货为您提供HAT1127HWS-E数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有HAT1127HWS-E的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

HAT1127HWS-E产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	HAT1127HWS-E
描述	MOSFET P-CH 30V 40A 5LFPAK
制造商	Renesas Electronics America Inc
库存	9814
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	40A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	4.5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	125 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	+10V，-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	5600 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	30W（Tc）
工作温度	150°C
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	LFPAK
封装/外壳	SC-100，SOT-669