HAT1069C-EL-E规格参数_hat1069c-el-e现货热销【斯普仑】

400-900-8690

HAT1069C-EL-E

制造商：Renesas Electronics America Inc

封装外壳：6-SMD，扁平引线

描述：MOSFET P-CH 12V 4A 6CMFPAK

2067 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Renesas Electronics America Inc设计生产的HAT1069C-EL-E，现有足量库存。HAT1069C-EL-E的封装/规格参数为:6-SMD，扁平引线；同时斯普仑现货为您提供HAT1069C-EL-E数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有HAT1069C-EL-E的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

HAT1069C-EL-E产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	HAT1069C-EL-E
描述	MOSFET P-CH 12V 4A 6CMFPAK
制造商	Renesas Electronics America Inc
库存	2067
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	52 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	16 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1380 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	900mW（Ta）
工作温度	150°C
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	6-CMFPAK
封装/外壳	6-SMD，扁平引线