HAT1047RWS-E规格参数_hat1047rws-e现货热销【斯普仑】

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HAT1047RWS-E

制造商：Renesas Electronics America Inc

封装外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

描述：MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP

5439 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Renesas Electronics America Inc设计生产的HAT1047RWS-E，现有足量库存。HAT1047RWS-E的封装/规格参数为:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供HAT1047RWS-E数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有HAT1047RWS-E的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

HAT1047RWS-E产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	HAT1047RWS-E
描述	MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP
制造商	Renesas Electronics America Inc
库存	5439
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	14A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	12 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	64 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3500 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.5W（Ta）
工作温度	150°C
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-SOP
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）