H5N2007LSTL-E规格参数_h5n2007lstl-e现货热销【斯普仑】

400-900-8690

H5N2007LSTL-E

制造商：Renesas Electronics America Inc

封装外壳：-

描述：MOSFET N-CH HS SW TO-263

4269 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Renesas Electronics America Inc设计生产的H5N2007LSTL-E，现有足量库存。H5N2007LSTL-E的封装/规格参数为:-；同时斯普仑现货为您提供H5N2007LSTL-E数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有H5N2007LSTL-E的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

H5N2007LSTL-E产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	H5N2007LSTL-E
描述	MOSFET N-CH HS SW TO-263
制造商	Renesas Electronics America Inc
库存	4269
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	-
技术	-
漏源电压（Vdss）	-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	25A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	-
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	-
工作温度	-
安装类型	-
供应商器件封装	-
封装/外壳	-