RQ3P300BETB1规格参数_rq3p300betb1现货热销【斯普仑】

400-900-8690

RQ3P300BETB1

制造商：Rohm Semiconductor

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT

4770 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的RQ3P300BETB1，现有足量库存。RQ3P300BETB1的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供RQ3P300BETB1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RQ3P300BETB1的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

RQ3P300BETB1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	RQ3P300BETB1
描述	MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT
制造商	Rohm Semiconductor
库存	4770
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	10A（Ta），36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	21 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	19.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1250 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2W（Ta），32W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-HSMT（3.2x3）
封装/外壳	8-PowerVDFN