IGT60R190D1SATMA1规格参数_igt60r190d1satma1现货热销【斯普仑】

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IGT60R190D1SATMA1

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：8-PowerSFN

描述：GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF

1044 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IGT60R190D1SATMA1，现有足量库存。IGT60R190D1SATMA1的封装/规格参数为:8-PowerSFN；同时斯普仑现货为您提供IGT60R190D1SATMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IGT60R190D1SATMA1的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

IGT60R190D1SATMA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IGT60R190D1SATMA1
描述	GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF
制造商	Infineon Technologies
库存	1044
系列	CoolGaN™
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	12.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1，6V @ 960µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	157 pF @ 400 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	55，5W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-HSOF-8-3
封装/外壳	8-PowerSFN