TSM130NB06LCR规格参数_tsm130nb06lcr现货热销【斯普仑】

400-900-8690

TSM130NB06LCR

制造商：Taiwan Semiconductor Corporation

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN

3310 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Taiwan Semiconductor Corporation设计生产的TSM130NB06LCR，现有足量库存。TSM130NB06LCR的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供TSM130NB06LCR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TSM130NB06LCR的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

TSM130NB06LCR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	TSM130NB06LCR
描述	MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN
制造商	Taiwan Semiconductor Corporation
库存	3310
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	10A（Ta），51A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	13 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	37 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2175 pF @ 30 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.1W（Ta），83W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-PDFN（5x6）
封装/外壳	8-PowerTDFN