TSM4ND60CI C0G规格参数_tsm4nd60ci c0g现货热销【斯普仑】

TSM4ND60CI C0G

制造商：Taiwan Semiconductor Corporation

封装外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片

描述：MOSFET N-CH 600V 4A ITO220

2467 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Taiwan Semiconductor Corporation设计生产的TSM4ND60CI C0G，现有足量库存。TSM4ND60CI C0G的封装/规格参数为:TO-220-3 全封装，隔离接片；同时斯普仑现货为您提供TSM4ND60CI C0G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TSM4ND60CI C0G的详细使用方法及教程。

TSM4ND60CI C0G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	TSM4ND60CI C0G
描述	MOSFET N-CH 600V 4A ITO220
制造商	Taiwan Semiconductor Corporation
库存	2467
系列	-
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.2 欧姆 @ 1.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	17.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	582 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	41.6W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	ITO-220
封装/外壳	TO-220-3 全封装，隔离接片

TSM4ND60CI C0G

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