CTLDM8120-M621H TR规格参数_ctldm8120-m621h tr现货热销【斯普仑】

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CTLDM8120-M621H TR

制造商：Central Semiconductor Corp

封装外壳：6-XFDFN 裸露焊盘

描述：MOSFET P-CH 20V 950MA TLM621H

7205 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Central Semiconductor Corp设计生产的CTLDM8120-M621H TR，现有足量库存。CTLDM8120-M621H TR的封装/规格参数为:6-XFDFN 裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供CTLDM8120-M621H TR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有CTLDM8120-M621H TR的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

CTLDM8120-M621H TR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	CTLDM8120-M621H TR
描述	MOSFET P-CH 20V 950MA TLM621H
制造商	Central Semiconductor Corp
库存	7205
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	950mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	150 毫欧 @ 950mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	3.56 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	200 pF @ 16 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.6W（Ta）
工作温度	-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TLM621H
封装/外壳	6-XFDFN 裸露焊盘