NVD5867NLT4G规格参数_nvd5867nlt4g现货热销【斯普仑】

400-900-8690

NVD5867NLT4G

制造商：onsemi

封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

描述：MOSFET N-CH 60V 6A/22A DPAK-3

7648 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NVD5867NLT4G，现有足量库存。NVD5867NLT4G的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供NVD5867NLT4G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NVD5867NLT4G的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

NVD5867NLT4G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NVD5867NLT4G
描述	MOSFET N-CH 60V 6A/22A DPAK-3
制造商	onsemi
库存	7648
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	6A（Ta），22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	39 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	15 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	675 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.3W（Ta），43W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	DPAK-3
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63