FDWS9509L-F085规格参数_fdws9509l-f085现货热销【斯普仑】

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FDWS9509L-F085

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：MOSFET P-CH 40V 65A 8DFN

8502 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDWS9509L-F085，现有足量库存。FDWS9509L-F085的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供FDWS9509L-F085数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDWS9509L-F085的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

FDWS9509L-F085产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	FDWS9509L-F085
描述	MOSFET P-CH 40V 65A 8DFN
制造商	onsemi
库存	8502
系列	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	65A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	8 毫欧 @ 65A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	67 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3360 pF @ 20 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	107W（Tj）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-DFN（5.1x6.3）
封装/外壳	8-PowerTDFN