NVMFS6B85NLT1G规格参数_nvmfs6b85nlt1g现货热销【斯普仑】

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NVMFS6B85NLT1G

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerTDFN，5 引线

描述：MOSFET N-CH 100V 5.6A/19A 5DFN

8973 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NVMFS6B85NLT1G，现有足量库存。NVMFS6B85NLT1G的封装/规格参数为:8-PowerTDFN，5 引线；同时斯普仑现货为您提供NVMFS6B85NLT1G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NVMFS6B85NLT1G的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

NVMFS6B85NLT1G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NVMFS6B85NLT1G
描述	MOSFET N-CH 100V 5.6A/19A 5DFN
制造商	onsemi
库存	8973
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	5.6A（Ta），19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	46 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	7.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	480 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.5W（Ta），42W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳	8-PowerTDFN，5 引线