NVGS3443T1G规格参数_nvgs3443t1g现货热销【斯普仑】

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NVGS3443T1G

制造商：onsemi

封装外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

描述：MOSFET P-CH 20V 3.1A 6TSOP

3376 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NVGS3443T1G，现有足量库存。NVGS3443T1G的封装/规格参数为:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6；同时斯普仑现货为您提供NVGS3443T1G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NVGS3443T1G的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

NVGS3443T1G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NVGS3443T1G
描述	MOSFET P-CH 20V 3.1A 6TSOP
制造商	onsemi
库存	3376
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	3.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	65 毫欧 @ 4.4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	15 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	565 pF @ 5 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	-
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	6-TSOP
封装/外壳	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6