2SK536-TB-E规格参数_2sk536-tb-e现货热销【斯普仑】

400-900-8690

2SK536-TB-E

制造商：onsemi

封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述：MOSFET N-CH 50V 100MA SC59

1683 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的2SK536-TB-E，现有足量库存。2SK536-TB-E的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供2SK536-TB-E数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有2SK536-TB-E的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

2SK536-TB-E产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	2SK536-TB-E
描述	MOSFET N-CH 50V 100MA SC59
制造商	onsemi
库存	1683
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	100mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	20 欧姆 @ 10mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	15 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	200mW（Ta）
工作温度	125°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	3-CP
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3