2SJ661-DL-1E规格参数_2sj661-dl-1e现货热销【斯普仑】

400-900-8690

2SJ661-DL-1E

制造商：onsemi

封装外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

描述：MOSFET P-CH 60V 38A TO263-2

6400 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的2SJ661-DL-1E，现有足量库存。2SJ661-DL-1E的封装/规格参数为:TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；同时斯普仑现货为您提供2SJ661-DL-1E数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有2SJ661-DL-1E的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

2SJ661-DL-1E产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	2SJ661-DL-1E
描述	MOSFET P-CH 60V 38A TO263-2
制造商	onsemi
库存	6400
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	38A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	39 毫欧 @ 19A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	80 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	4360 pF @ 20 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.65W（Ta），65W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-263-2
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB