NTAT6H406NT4G规格参数_ntat6h406nt4g现货热销【斯普仑】

400-900-8690

NTAT6H406NT4G

制造商：onsemi

封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

描述：MOSFET N-CH 80V 175A ATPAK

7949 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTAT6H406NT4G，现有足量库存。NTAT6H406NT4G的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供NTAT6H406NT4G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTAT6H406NT4G的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

NTAT6H406NT4G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NTAT6H406NT4G
描述	MOSFET N-CH 80V 175A ATPAK
制造商	onsemi
库存	7949
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	175A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.9 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	110 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	8040 pF @ 40 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	90W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	DPAK/ATPAK
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63