IRF100P219XKMA1规格参数_irf100p219xkma1现货热销【斯普仑】

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IRF100P219XKMA1

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：TO-247-3

描述：MOSFET N-CH 100V TO247AC

1029 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRF100P219XKMA1，现有足量库存。IRF100P219XKMA1的封装/规格参数为:TO-247-3；同时斯普仑现货为您提供IRF100P219XKMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRF100P219XKMA1的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

IRF100P219XKMA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRF100P219XKMA1
描述	MOSFET N-CH 100V TO247AC
制造商	Infineon Technologies
库存	1029
系列	StrongIRFET™
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	203A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.7 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.8V @ 278µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	270 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	12020 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	341W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-247AC
封装/外壳	TO-247-3