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IXTD3N60P-2J

制造商：IXYS

封装外壳：模具

描述：MOSFET N-CH 600V 3A DIE

6298 现货

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS设计生产的IXTD3N60P-2J，现有足量库存。IXTD3N60P-2J的封装/规格参数为:模具；同时斯普仑现货为您提供IXTD3N60P-2J数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IXTD3N60P-2J的详细使用方法及教程。

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IXTD3N60P-2J产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 IXTD3N60P-2J
描述 MOSFET N-CH 600V 3A DIE
制造商 IXYS
库存 6298
系列 PolarHV™
包装 散装
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 2.9 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 9.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 411 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 70W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 模具
封装/外壳 模具

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